| 代码 | 名称 | 当前价 | 涨跌幅 | 最高价 | 最低价 | 成交量(万) | 
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周一(10月27日)高带宽内存(HBM)板块狂涨近4%,精智达涨超15% ,拓荆科技、联瑞新材涨超10%,香农芯创 、雅克科技等跟涨。
所谓高带宽内存(HBM,High Bandwidth Memory)是一种专为高性能计算和图形密集型应用设计的DRAM技术 。HBM通过采用3D堆叠封装技术和硅通孔(TSV)技术 ,将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起,显著提升数据传输的带宽和效率,同时保持较低的功耗 ,这种结构不仅增加了存储密度,还缩短了数据传输路径,实现了高速数据通信。
随着大模型参数规模与训练数据量的爆炸式增长,传统内存技术已成为制约算力发挥的“内存墙” ,而HBM凭借其超高带宽、低功耗和小体积特性,正成为AI芯片的主流选择。
三大原厂已布局 HBM供应紧缺
综合消息面看,全球内存三大原厂均已深度布局高带宽内存 。
在日前的财报会上 ,美光特别强调,预计半导体芯片、特别是HBM的供不应求情况将会加剧。公司CEO Sanjay Mehrotra透露,当前半导体存储领域 ,DRAM库存已低于目标水平,NAND库存持续下滑;而HBM产能需求增长显著,产能已被锁定 ,预计2026年HBM出货量增速将超过整体DRAM水平,成为半导体存储板块的核心增长驱动力。
具体HBM产品中,美光表示 ,已与几乎所有客户就2026年绝大部分HBM3E产能达成定价协议;公司正在与客户就HBM4进行讨论,供应“非常紧张 ” 。
SK海力士也维持2025年HBM收入同比翻倍目标不变,12Hi HBM3e产品今年仍占主导,公司指引2024-2028年HBM收入CAGR为50%;公司目前已经向客户提供首批HBM4样品验证
三星财报显示 ,25Q2 HBM 销量环比增长约 30%,其中 HBM3E 产品占比扩大至超 80%,公司预计 25H2 HBM3E 销售占比超 90%;公司表示 HBM4已经完成开发 ,向主要客户送样
HBM3E成主流国内厂商已布局
长江证券研报显示,HBM3E代际为当前主流,据TrendForce预测 ,2025年HBM3E市场份额大幅提升,占比有望超过95%。
TrendForce预测,2026年HBM市场总出货量预计将突破30 Billion Gb ,HBM4的市占率则随着供应商持续放量而逐季提高,预计于2026年下半年正式超越HBM3e系列产品,成为市场主流。
据东方证券研报 ,长鑫存储计划在2025年底前交付第四代高带宽存储器样品(HBM3),并预计从2026年开始全面量产;此外,长鑫存储还设定了2027年开发第五代HBM(HBM3E)的目标。先进存储的持续突破,将带动产业链上游设备行业的需求快速增长 ,国产设备有望深度受益 。
国元证券近期研报显示,长江存储正积极寻求技术突破,计划开发用于生产HBM(高带宽内存)的关键技术——TSV先进封装 ,并考虑将其新建的武汉工厂部分用于生产DRAM芯片。
此外,华为也在近期宣布,自昇腾950PR开始 ,昇腾AI芯片将采用华为自研的HBM。其中,昇腾950搭载自研的HBM HiBL 1.0;昇腾950DT升级至HBM HiZQ 2.0 。
杠杆资金抢筹多股年内已翻倍
东方财富Choice数据显示,高带宽内存板块自10月17日反弹以来 ,12只个股获得杠杆资金抢筹,其中拓荆科技排名第一,融资净买入近6亿元 ,该股年内至今涨幅已经翻倍;香农芯创排名第二,融资净买入近5亿元,年内之间涨幅超370%。
中微公司 、雅克科技、炬光科技、北方华创 、盛美上海、中巨芯-U等个股融资净买额在1.7亿元至4000万元之间不等。
从机构观点看,高带宽内存板块中 ,年内涨幅较大个股偏设备端与代销端 。
比如拓荆科技,据方正证券,公司的薄膜沉积设备 ,如PECVD、ALD及SACVD,是HBM制造过程中的关键设备,用于在芯片上沉积薄膜 ,以实现高密度、高性能的存储功能。随着HBM技术的演进,如HBM4的开发,拓荆科技的设备在支持更高带宽 、更小节点的存储器生产中扮演着重要角色。
又比如精智达 ,据中泰证券,公司作为国内领先的半导体测试设备供应商,已成功开发出存储器通用测试验证机 ,并获得批量订单,特别是在HBM测试机领域,精智达的测试机工程样机已经搬入客户现场进入验证阶段,显示出公司在HBM测试设备方面的技术实力和市场潜力 。
而香农芯创则是SK海力士代销商。华创证券表示 ,公司国内领先的半导体分销商,香农芯创拥有全球全产业存储器供应商之一的SK海力士的代理权,这为香农芯创在HBM领域的业务拓展提供了坚实的基础。
民生证券认为 ,从产业链来看,HBM产业上游主要包括电镀液、前驱体、IC载板等半导体原材料及TSV设备 、检测设备等半导体设备供应商;中游为HBM生产,下游应用领域包括人工智能、数据中心以及高性能计算等 。在HBM制造中 ,TSV工序是主要难点,其涉及光刻、涂胶 、刻蚀等复杂工艺,是价值量最高的环节。国产HBM量产势在必行 ,当前国产HBM或处于发展早期,上游设备材料或迎来扩产机遇。
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